Технические характеристики Samsung M323R4GA3BB0-CQKOD
Производительность DDR5 более, чем в два раза выше, чем DDR4, это обеспечивает пропускную способность до 7200 мегабит в секунду (Мбит/с). Новый модуль подходит для выполнения самых требовательных к вычислениям и пропускной способности задач, относящихся к суперкомпьютерам, искусственному интеллекту, машинному обучению и анализу данных.
Захватывающая дух скорость, для огромных данных в реальном времени
Благодаря исключительной скорости передачи данных до 7200 Мбит/с DDR5 эффективно справляется с постоянно растущими требованиями к более крупным и сложные рабочие нагрузки с данными. DDR5 обеспечивает более чем двукратное увеличение производительности по сравнению с DDR4, с удвоенной длиной пакета с 8 до 16 и удвоением количества банков с 16 до 32. Потрясающая производительность поднимает потолок обработки больших данных, в то же время легко обрабатывая контент 8K.
Удвоенная емкость
Производственный процесс Samsung класса 10 нм и технология EUV позволяют чипам увеличить объем памяти с 16 Гб до 32 Гб. Удвоение фишки емкость означает, что один модуль может предоставить до 512 ГБ, чтобы плавно справляться с огромными одновременными рабочими нагрузками, с масштабируемостью для будущих инноваций.
Основные | |
Форм-фактор памяти | DIMM |
Тип памяти | DDR5 |
Общий объем памяти | 32 Гбайт |
Объем одного модуля | 32 Гбайт |
Количество модулей в комплекте | 1 шт. |
Быстродействие | |
Частота | 4800 МГц |
Пропускная способность | PC4-38400 |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 40 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 40 |
Row Precharge Delay (tRP) | 40 |
Конструкция | |
Низкопрофильная | Нет |
О товаре | |
Русское наименование | Память оперативная |
Категория | Комплектующие для ПКОперативная память |
Единицы измерения | шт |
Габариты в упаковке | 14 x 1 x 3 см (ШхВхГ) |
Вес в упаковке | 0.01 кг |
Объем упаковки | 0,000016 м куб. |
Гарантия | Гарантия дистрибьютора 12 мес. с даты отгрузки |